圖為2013年名譽博士頒授典禮，陳力俊校長頒發張懋中先生（中）名譽博士證書。圖右為電資院鄭克勇院長。張懋中先生，畢業於國立台灣大學物理系（1972），本校材料科學研究所（1974），交通大學電子工程研究所博士（1979）。2013年獲本校名譽工學博士。張先生生於1951年，90年代與研究團隊於洛克威爾科學中心高速電子實驗室，完成高速雙異質結構電晶體及雙極性場效電晶體積體電路的研究與開發，並成功的轉移到業界量產，每年銷售量超過十億個單元。該技術為手機必備之功率及前端模組器件，其所開發的HBT/BiFET功率放大器為現代無線通信系統之重要里程碑，具有全球性之影響。近年持續在高速積體電路、無線通信系統及兆赫波之研究有開創性之成就。並於2008年當選為美國國家工程院院士，2012年當選中央研究院院士，學術成就卓越。
（本文最後更新時間：2013年）
